TeamGroup dévoile des modules de mémoire DDR5 Elite Series 16 Go 4800 MHz, lance également des kits de mémoire 256 Go XTREEM ARGB DDR4 Leave a comment

TeamGroup annonce une gamme de nouveaux produits au Computex 2021, notamment des modules/kits de mémoire DDR5, DDR4 et des solutions SSD haute capacité. La société a été l’une des premières à dévoiler ses conceptions de mémoire DDR5 de nouvelle génération et à les dévoiler officiellement au public.

TeamGroup dévoile un module de mémoire DDR5-4800 de 16 Go, un kit de mémoire DDR4-3600 de 256 Go et des SSD NVMe de 8 To

Commençons par la solution de mémoire DDR5 de nouvelle génération de TeamGroup. La société a annoncé la série DDR5 Elite comme son premier module de mémoire de nouvelle génération qui aura une capacité de 16 Go et fonctionnera à des vitesses de transfert de 4800 Mbps. La page du produit répertorie le module de mémoire pour transporter deux fois plus de banques de mémoire par rapport à la DDR4 et fonctionne à une tension ultra-basse de 1,1 V. Il dispose également d’un support ECC intégré PMIC (Power Management IC) qui augmente l’efficacité. D’après les rendus, on peut voir que la mémoire DDR5 de la série Elite est très basique, avec un PCB noir et aucun dissipateur thermique.

La division de jeu de TeamGroup, T-Force, a déjà confirmé qu’elle développait des modules de mémoire DDR5 de nouvelle génération avec prise en charge de l’overclocking. Selon T-Force, la société a envoyé les premiers échantillons de mémoire aux principaux partenaires de cartes mères tels que Gigabyte, MSI, ASRock et ASUS pour validation sur leurs prochains produits.

Certaines fonctionnalités de la mémoire de la série DDR5 Elite de TeamGroup incluent :

• Type de module : DDR5
• Fréquence : 4800
• Latence : CL40-40-40-77
• Capacité : 32 Go (16 Gx2)
• Bande passante de transfert de données : 38 400 Mo/s (PC5 38400)
• Tension : 1.1V

T-Force déclare également que la mémoire DDR5 a beaucoup plus de place pour le réglage de la tension en ce qui concerne la prise en charge de l’overclocking. Cela est principalement dû aux circuits intégrés de gestion de l’alimentation (PMIC) améliorés qui permettent des tensions supérieures à 2,6 V. Il est également détaillé que les modules de mémoire DDR4 existants ont géré leur conversion de tension via la carte mère, mais cela change avec la DDR5. Les composants nécessaires à la conversion de tension sont désormais déplacés vers la mémoire DIMM elle-même, ce qui réduit l’usure de la tension et la génération de bruit tout en offrant simultanément plus d’espace pour l’overclocking.